MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBC6N2022 产品详细

产品简介:

该产品是一款共源极N+N MOSFET,适用于20V的最大漏极-源极电压和±20V的最大栅极-源极电压,特别适用于直流-直流转换器、电机控制系统和电源开关模块等需要高性能和稳定性能的应用场合。阈值电压为0.5~1.5V,漏极电流可达6.6A,采用Trench技术制造。封装为TSSOP8。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

参数:
- 共源极N+N MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS): 20V
- 最大栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 0.5~1.5V
- 在VGS=2.5V时的导通电阻(RDS(on)): 32 mΩ
- 在VGS=4.5V时的导通电阻(RDS(on)): 22 mΩ
- 最大漏极电流(ID): 6.6A
- 技术: Trench
封装: TSSOP8

领域和模块应用:

这款MOSFET适用于许多领域和模块,以下是一些例子:

1. DC-DC转换模块:适用于直流-直流转换器和DC-DC升降压模块,可实现高效的电能转换和稳定的输出,广泛应用于电源管理和电子设备中。

2. 电机控制模块:在电机驱动器和电机控制系统中,可用于马达控制、速度调节和扭矩控制等应用,提供高性能的电机驱动和精确的控制。

3. 电源开关模块:适用于电源开关和开关控制器等电源管理模块,可实现高效的电源开关和稳定的输出电压,提供可靠的电源供应。

4. 电源保护模块:在电路保护和电源管理系统中,可用于过载保护、短路保护和过压保护等功能,确保电路安全稳定地工作。

5. LED驱动模块:适用于LED照明驱动器和LED控制系统,可实现稳定的电流输出和调光功能,同时提供高效的LED驱动和长寿命的照明效果。

综上所述,VBC6N2022型号的共源极N+N MOSFET适用于多种领域和模块,
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询