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VBC6N2005 产品详细

产品简介:

VBC6N2005 采用共栅 N+N 结构设计,适用于高功率、高效能和高可靠性要求的电路和模块,如电源逆变器、直流电机驱动器和电源管理模块等领域。
具有以下特点:
- 高压承受能力:VDS 为 20V,适用于需要承受一定高压的应用场景。
- 宽输入电压范围:VGS ±12V,能够应对多种输入电压条件。
- 门阈电压范围:Vth 为 0.5~1.5V,可根据具体需求进行调节。
- 极低的导通电阻:在不同的 VGS 下,RDS(on) 分别为 7mΩ(VGS=2.5V)、5mΩ(VGS=4.5V),保证了低功率损耗和高效能。
- 适用于负载电流:ID 为 11A,适合于一定范围内的高功率需求。
- 采用 Trench 工艺,具有良好的性能稳定性和可靠性。
- 封装为 TSSOP8,便于集成到电路板上。

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产品参数:

产品型号:VBC6N2005
品牌:VBsemi
参数:
- 共栅 N+N 结构
- VDS(V):20
- VGS(±V):12
- Vth(V):0.5~1.5
- RDS(on) VGS=2.5V(mΩ):7
- RDS(on) VGS=4.5V(mΩ):5
- ID (A):11
- Technology:Trench
封装:TSSOP8

领域和模块应用:

应用举例:
1. 电源逆变器:由于 VBC6N2005 具有较高的 ID 和较低的导通电阻,适合用于电源逆变器中的功率开关和控制电路,提高逆变器的效率和稳定性。
2. 直流电机驱动器:在直流电机驱动器中,VBC6N2005 可用作电机控制器件,通过其高压承受能力和低导通电阻,实现直流电机的高效驱动和性能提升。
3. 电源管理模块:对于需要高功率和高效能的电源管理模块,VBC6N2005 可用于控制电路和功率放大器,提高模块的稳定性和效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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