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VBC1307 产品详细

产品简介:

VBC1307是一款单路N沟道MOSFET,适用于低压高电流的电子电路设计。具有30V的最大漏极-源极电压(VDS)、10A的最大漏极电流(ID)和低漏极-源极电阻(RDS(on))。采用沟道技术制造,封装为TSSOP8,适用于各种电子设备的功率控制和开关应用。

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产品参数:

产品型号: VBC1307
品牌: VBsemi
参数:
- MOSFET类型: 单路N沟道
- 最大漏极-源极电压(VDS): 30V
- 最大栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 1.7V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 9mΩ
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 7mΩ
- 最大漏极电流(ID): 10A
- 技术: 沟道技术(Trench)
- 封装: TSSOP8

领域和模块应用:

举例说明:
1. **电源管理模块**:VBC1307的低漏极电阻和稳定的特性使其适用于设计低压电源管理模块,如电源开关、稳压器和逆变器等。其高效的功率控制和稳定的性能可提高电源系统的效率和可靠性。

2. **LED驱动模块**:在LED照明系统中,VBC1307可用作LED驱动模块的关键组件,实现LED灯具的亮度调节和颜色控制。其低漏极电阻和高漏极电流特性可确保LED灯具的稳定性和亮度均匀性。

3. **电机驱动模块**:VBC1307可用作电机驱动模块的功率开关器件,用于控制电机的启停和转向。例如,可用于家用电器中的风扇、空调和洗衣机等,实现对电机的精确控制和节能运行。

4. **电池保护模块**:在电池管理系统中,VBC1307可用作过充电和过放电保护模块的关键元件,实现对电池的安全充放电控制。其稳定的特性和可靠的性能可延长电池的使用寿命,提高电池系统的安全性和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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