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VBBC1309 产品详细

产品简介:

VBBC1309是一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有以下主要参数:耐压(VDS)为30V,门源电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同门源电压下的导通电阻(RDSon)。其封装形式为DFN8(3X3)。

VBBC1309适用于需要较低功率和较小封装体积的场合,适合于各种电子设备和模块的应用。

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产品参数:

参数:
- Single N
- VDS(V):30
- VGS(±V):20
- Vth(V):1.7
- VGS=4.5V时的导通电阻(mΩ):11
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):8
- ID (A):13
- Technology:Trench
封装:DFN8(3X3)

**详细参数说明:**

领域和模块应用:

以下是该产品在不同领域和模块中的应用举例:

1. **电源管理模块**:由于VBBC1309具有较小的封装体积和低功率特性,适合用于电源管理模块中的功率开关控制,例如用于低功率电源转换器和稳压器等。

2. **汽车电子模块**:在汽车电子系统中,VBBC1309可以作为电动汽车充电桩中的功率开关器件,用于控制充电电流和电池充电状态,提高充电效率和安全性。

3. **消费电子模块**:作为消费电子产品中的电源管理器件,VBBC1309可以应用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑等设备中,实现电池充电和功率管理功能。

4. **工控领域**:在工业控制系统中,VBBC1309可用于电机控制模块、传感器接口模块和数据采集模块等,实现工业设备的控制和监测功能。

综上所述,VBBC1309适用于各种需要较低功率和较小封装体积的电子设备和模块中,包括电源管理模块、汽车电子模块、消费电子模块以及工控领域的应用等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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