产品简介：
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VBsemi 的 VBA5638 是一款双 N 型和 P 型场效应晶体管，具有 ±60V 的漏极-源极电压（VDS）、20V 的栅极-源极电压（VGS）、1.8/-1.7V 的阈值电压（Vth），以及 5.3/-4.9A 的漏极电流（ID）。采用 Trench 技术制造，封装为 SOP8。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±60V |
20（±V） |
1.8/-1.7V |
5.3/-4.9A |
|
29/60(mΩ) |
26/55(mΩ) |
Trench |
详细参数说明：
- 品牌：VBsemi
- 产品型号：VBA5638
- 类型：双 N 型和 P 型场效应晶体管
- VDS（漏极-源极电压）：±60V
- VGS（栅极-源极电压）：20V
- Vth（阈值电压）：1.8/-1.7V
- RDS(on) VGS=4.5V 时的导通电阻：29/60 mΩ
- RDS(on) VGS=10V 时的导通电阻：26/55 mΩ
- 最大漏极电流（ID）：5.3/-4.9A
- 技术：Trench
- 封装：SOP8
领域和模块应用：
应用示例：
1. 电力电子领域：用于高压直流输电系统中的开关和控制装置。
2. 工业电源模块：适用于工业设备中的电源管理和功率开关。
3. 电动车辆：用于电动汽车和混合动力汽车的电动驱动系统中的功率开关模块。
4. 太阳能逆变器：用于太阳能光伏发电系统中的逆变器电路。
5. 通信设备：适用于无线通信设备中的功率放大和调节模块。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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