产品简介：
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VBsemi的VBA5415型号是一款双N+P沟道场效应晶体管（Dual N+P），具有以下主要参数：
- 额定漏极-源极电压（VDS）：±40V
- 额定栅极-源极电压（VGS）：±20V
- 阈值电压（Vth）：1.8V（N沟道） / -1.7V（P沟道）
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极导通电阻（mΩ）：18（N沟道） / 22（P沟道）
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻（mΩ）：15（N沟道） / 17（P沟道）
- 最大漏极电流（ID）：9A（N沟道） / -8A（P沟道）
- 技术：Trench
- 封装：SOP8
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产品参数：
详细参数说明：
- 产品型号：VBA5415
- 品牌：VBsemi
- 类型：双N+P沟道场效应晶体管
- 额定电压：VDS=±40V，VGS=±20V
- 阈值电压：Vth=1.8V（N沟道） / -1.7V（P沟道）
- 漏极-源极导通电阻（VGS=4.5V时）：18mΩ（N沟道） / 22mΩ（P沟道）
- 漏极-源极导通电阻（VGS=10V时）：15mΩ（N沟道） / 17mΩ（P沟道）
- 最大漏极电流：9A（N沟道） / -8A（P沟道）
- 技术：Trench
- 封装：SOP8
领域和模块应用：
适用领域和模块举例：
- 电源管理模块：适用于各种电源开关和稳压器模块，如手机充电器和电脑电源供应器。
- 汽车电子模块：可用于汽车电力系统中的功率开关和驱动控制模块，如车载充电器和电动汽车的电力系统。
- 工业控制模块：适用于工业控制系统中的开关电源和电机驱动器模块，如工业自动化设备和机器人控制系统。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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