VBA5307 - VBsemi MOS管制造商

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VBsemi 的 VBA5307 是一款双 N 型和 P 型场效应晶体管，具有 ±30V 的漏极-源极电压（VDS）、20V 的栅极-源极电压（VGS）、1.8/-1.7V 的阈值电压（Vth），以及 15/-10.5A 的漏极电流（ID）。采用 Trench 技术制造，封装为 SOP8。

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产品参数：

详细参数说明：
- 品牌：VBsemi
- 产品型号：VBA5307
- 类型：双 N 型和 P 型场效应晶体管
- VDS（漏极-源极电压）：±30V
- VGS（栅极-源极电压）：20V
- Vth（阈值电压）：1.8/-1.7V
- RDS(on) VGS=4.5V 时的导通电阻：10/21 mΩ
- RDS(on) VGS=10V 时的导通电阻：7.2/17 mΩ
- 最大漏极电流（ID）：15/-10.5A
- 技术：Trench
- 封装：SOP8

领域和模块应用：

应用示例：
1. 电源逆变器：用于工业和家用逆变器中的功率开关和控制装置。
2. 电动汽车控制器：适用于电动汽车的电动驱动系统中的功率开关模块。
3. 太阳能充电控制器：用于太阳能电池板充电控制器的功率调节单元。
4. 电源管理模块：适用于便携式电子设备中的电池管理和功率开关。
5. 通信设备：用于无线路由器、基站和光纤通信中的功率放大和调节模块。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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