产品简介：
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VBsemi的VBA5213型号是一款双N+P沟道场效应晶体管（Dual N+P），具有以下主要参数：
- 额定漏极-源极电压（VDS）：±20V
- 额定栅极-源极电压（VGS）：±12V
- 阈值电压（Vth）：1.0V（N沟道） / -1.2V（P沟道）
- 在VGS=2.5V时的漏极-源极导通电阻（mΩ）：15（N沟道） / 32（P沟道）
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极导通电阻（mΩ）：13（N沟道） / 24（P沟道）
- 最大漏极电流（ID）：8A（N沟道） / -6.1A（P沟道）
- 技术：Trench
- 封装：SOP8
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产品参数：
详细参数说明：
- 产品型号：VBA5213
- 品牌：VBsemi
- 类型：双N+P沟道场效应晶体管
- 额定电压：VDS=±20V，VGS=±12V
- 阈值电压：Vth=1.0V（N沟道） / -1.2V（P沟道）
- 漏极-源极导通电阻（VGS=2.5V时）：15mΩ（N沟道） / 32mΩ（P沟道）
- 漏极-源极导通电阻（VGS=4.5V时）：13mΩ（N沟道） / 24mΩ（P沟道）
- 最大漏极电流：8A（N沟道） / -6.1A（P沟道）
- 技术：Trench
- 封装：SOP8
领域和模块应用：
适用领域和模块举例：
- 电源管理模块：可用于电源开关和保护电路，适用于各种电子设备和系统，如电源逆变器和电源管理模块。
- 电机驱动器模块：适用于驱动直流电机和步进电机的电机控制器和驱动器模块，如机器人控制系统和工业自动化设备。
- 信号放大器模块：可用于放大信号和控制电路，适用于通信设备和音频放大器等领域的模拟电路设计。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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