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VBA5104N 产品详细

产品简介:

**产品简介:**

VBsemi VBA5104N 是一款双N沟道和P沟道MOSFET,采用Trench技术,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种电源和功率控制应用,封装为SOP8。

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产品参数:


**详细参数说明:**

- 品牌:VBsemi
- 产品型号:VBA5104N
- MOSFET类型:双N沟道和P沟道
- 额定电压(VDS):±100V
- 最大门源电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):±2V
- 典型静态漏极电阻(VGS=4.5V):29mΩ(N沟道),66mΩ(P沟道)
- 典型静态漏极电阻(VGS=10V):26mΩ(N沟道),55mΩ(P沟道)
- 最大漏极电流(ID):6.3A(N沟道),-5.2A(P沟道)
- 技术:Trench
- 封装:SOP8

领域和模块应用:




**适用领域和模块举例:**

1. **功率逆变器:** VBA5104N 可用作功率开关器件,用于电力系统中的逆变器模块,如太阳能逆变器、风能逆变器等,实现对直流电能的转换。

2. **电源管理模块:** 在各种电源管理应用中,如服务器电源、通信设备电源等,VBA5104N 可用于功率开关模块,提供稳定可靠的电源输出。

3. **电动汽车充电器:** 由于其高性能和可靠性,VBA5104N 可用于电动汽车充电器中的功率开关模块,实现高效率的充电过程。

4. **工业自动化控制:** VBA5104N 可用于工业自动化领域中的功率控制模块,如变频器、电机驱动器等,提供稳定可靠的功率输出。

5. **医疗设备:** 在医疗设备中,VBA5104N 可用于功率控制模块,如医用超声波设备、医用X射线设备等,提供稳定的功率输出和可靠的性能。

以上是 VBA5104N 产品适用的一些领域和模块示例,其高性能和可靠性使其成为各种功率控制应用的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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