VBA5102M - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：

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VBsemi VBA5102M是一款Dual N+P型MOSFET，具有双向通道设计，适用于正负电压。其漏极-源极电压（VDS）为±100V，栅极-源极电压（VGS）为±20V，阈值电压（Vth）为±2V。采用了Trench技术，具有高效的功率转换和稳定的性能。封装为SOP8，易于安装和集成。该产品适用于各种应用场景，为电路设计提供了灵活的解决方案。

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产品参数：

详细参数说明：
- 型号：VBA5102M
- 品牌：VBsemi
- MOSFET类型：Dual N+P
- 漏极-源极电压（VDS）：±100V
- 栅极-源极电压（VGS）：±20V
- 阈值电压（Vth）：±2V
- 在VGS=4.5V时的导通电阻（mΩ）：260/530（N/P通道）
- 在VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：240/490（N/P通道）
- 漏极电流（ID）：2.2A（N通道）/-1.9A（P通道）
- 技术：Trench
- 封装：SOP8

领域和模块应用：

应用领域和模块举例：
该产品适用于以下领域和模块：
1. 电源管理：用于电源开关、DC-DC转换器和逆变器等电源管理系统中的功率开关控制。
2. 电机驱动：适用于步进电机驱动器、直流电机控制器和无刷电机控制模块。
3. 汽车电子：用于车载电子系统、发动机控制单元和车载充电器等汽车电子模块。
4. 工业自动化：适用于工业机器人、自动化生产线和PLC系统中的功率开关控制。
5. 通信设备：用于基站、通信网络设备和数据中心中的功率开关控制模块。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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