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VBA5101M 产品详细

产品简介:

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VBA5101M是VBsemi生产的双N+P沟道功率MOSFET,具有高性能和可靠性。采用Trench技术制造,适用于多种电力电子应用,并可在不同领域和模块中发挥重要作用。

VBA5101M具有广泛的应用场景,在电力电子领域中发挥着重要的作用,产品简介:
VBA5101M是VBsemi生产的双N+P沟道功率MOSFET,具有高性能和可靠性。采用Trench技术制造,适用于多种电力电子应用,并可在不同领域和模块中发挥重要作用。

VBA5101M具有广泛的应用场景,在电力电子领域中发挥着重要的作用,为各种电子设备提供稳定可靠的电力控制功能。

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产品参数:

详细参数说明:
- 额定电压(VDS):±100V
- 栅源电压范围(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):±2V
- 在VGS=4.5V时的导通电阻(mΩ):N沟道:100mΩ,P沟道:165mΩ
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):N沟道:80mΩ,P沟道:150mΩ
- 最大漏电流(ID):N沟道:4.6A,P沟道:-3.4A

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电源逆变器:VBA5101M可用作电源逆变器中的功率开关,实现直流电到交流电的转换,适用于太阳能逆变器、UPS等应用。
2. 电机驱动器:在电机驱动器中,VBA5101M可用于控制电机的启停和速度调节,适用于电动汽车、工业机械等领域。
3. 电源管理:在电源管理系统中,VBA5101M可用于电压稳定和电流控制,适用于服务器电源、电源适配器等应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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