VBsemi的Dual P+P系列产品是一种双路P沟道场效应晶体管（MOSFET），是一种灵活多用、性能稳定的电子元件，适用于各种不同的领域和模块。
具有以下参数：VDS（漏极-源极电压）为-20V，VGS（栅极-源极电压）范围为±12V，阈值电压（Vth）为-0.8V。在VGS=4.5V时的导通电阻为23mΩ，在VGS=10V时为19mΩ，最大漏极电流（ID）为-8.5A（负数表示为P沟道器件）。这些MOSFET采用Trench技术制造，封装形式为SOP8。