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VBA4101M 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBA4101M是一款双P+P通道功率MOSFET,具有-100V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS),和-2V的阈值电压(Vth)。在栅极-源极电压为4.5V时,导通时的导通电阻为155mΩ;在栅极-源极电压为10V时,导通时的导通电阻为110mΩ。该MOSFET的最大漏极电流(ID)为-4.5A,采用Trench技术制造。

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产品参数:

**VBA4101M**

**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 类型: Dual P+P
- VDS(V): -100
- VGS(±V): 20
- Vth(V): -2
- VGS=4.5V(mΩ): 155
- VGS=10V(mΩ): 110
- ID (A): -4.5
- Technology: Trench

**封装:** SOP8

领域和模块应用:

VBA4101M适用于多种领域和模块,其中包括但不限于:
1. **电源开关模块:** 由于其双P+P通道设计和高电压容忍度,该MOSFET适用于电源开关模块,如开关电源、逆变器和功率放大器。它能够提供高效的电源开关和稳定的能量转换。

2. **汽车电子模块:** 在汽车电子领域,VBA4101M可用于汽车电动驱动系统,包括电动汽车、混合动力车和电动自行车的电机驱动器。其高性能和耐用性使其能够承受汽车环境中的高温和高负载。

3. **工业控制系统:** 该MOSFET还适用于工业控制系统中的电源开关模块,如工业UPS、变频器和电动机控制器。其双P+P通道设计和高漏极电流能够确保工业设备的稳定运行和高效能量转换。

4. **通信设备模块:** 在通信领域,VBA4101M可用于通信设备模块,如基站功率放大器、信号放大器和射频调节器。其高性能和可靠性有助于提高通信设备的性能和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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