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VBA3638 产品详细

产品简介:

该产品为双N+P沟道场效应晶体管,该产品适用于多种领域的功率电子应用,主要参数包括:
- 最大漏极-源极电压(VDS):60V
- 最大门极-源极电压(VGS):±20V
- 门极阈值电压(Vth):1.7V
- 在VGS=4.5V时的漏-源电阻:30mΩ
- 在VGS=10V时的漏-源电阻:28mΩ
- 最大漏极电流(ID):7A
- 技术特点:采用沟道结构

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产品参数:

产品型号:VBA3638
品牌:VBsemi
参数:
- Dual N+N
- VDS(V): 60
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 1.7
- VGS=4.5V(mΩ): 30
- VGS=10V(mΩ): 28
- ID (A): 7
- Technology: Trench

封装:SOP8

领域和模块应用:

特别适用于以下领域和模块:

1. **电源管理模块:** 由于其双N+P结构和低漏阻特性,该产品非常适合用于电源管理模块,如开关电源、DC-DC转换器和电池管理系统等,实现对电能的高效管理和转换。

2. **汽车电子系统:** 在汽车电子系统中,该产品可用于电动汽车的充电控制器、驱动器和电机控制模块,提高汽车的性能和效率。

3. **工业自动化控制系统:** 在工业自动化领域,该产品可用于工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块,提高系统的运行效率和稳定性。

4. **家用电器控制器:** 在家用电器中,该产品可用于功率开关模块,如空调、洗衣机和冰箱等家电的控制器,提高设备的性能和可靠性。

5. **LED驱动器:** 该产品可用于LED照明系统中的驱动器模块,通过控制LED的电流和电压,实现对照明效果的调节和控制,提高照明系统的效率和亮度。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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