VBA3316SD是一款半桥N+N型MOSFET，设计用于高效能功率转换和驱动应用。其主要参数包括：
- 额定漏极-源极电压（VDS）为30V，适用于中等功率应用。
- 最大栅极-源极电压（VGS）为20V，提供了较宽的工作范围。
- 阈值电压（Vth）为1.7V，适合于低压控制电路。
- 在VGS=4.5V时的导通电阻为22mΩ，在VGS=10V时的导通电阻为18mΩ，具有较低的导通电阻，适用于高效能功率转换。
- 最大漏极电流（ID）为6.8A（开关状态），10A（导通状态），适用于高效率功率转换。
- 采用Trench技术，具有优良的电气特性和可靠性。

VBA3316SD适用于高效能功率转换和驱动应用，包括电动车辆电源模块、电源转换模块、工业自动化控制模块等领域。