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VBA3316G 产品详细

产品简介:

VBA3316G是一款半桥N+N型MOSFET,主要参数包括耐压(VDS)为30V,门源电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同门源电压下的导通电阻(RDSon)。其封装形式为SOP8。

VBA3316G适用于需要半桥电路控制的场合,可广泛应用于各种电源管理和驱动控制模块中。

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产品参数:

产品型号:VBA3316G
品牌:VBsemi
参数:
- Half-Bridge N+N
- VDS(V):30
- VGS(±V):20
- Vth(V):1.7
- VGS=4.5V时的导通电阻(mΩ):22
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):18
- ID (A):6.8/10
- Technology:Trench
封装:SOP8

领域和模块应用:

以下是该产品在不同领域和模块中的应用举例:

1. **电源开关模块**:由于VBA3316G具有半桥结构和较低的导通电阻,适合用作电源开关模块中的功率开关器件,例如用于开关电源、DC-DC转换器和电源逆变器等。

2. **电动汽车驱动模块**:在电动汽车电动驱动系统中,VBA3316G可以作为电机驱动模块中的功率开关器件,用于控制电机的启停、转向和速度调节,提高电动汽车的性能和效率。

3. **工业控制模块**:在工业控制系统中,VBA3316G可用于控制和驱动工业机器人、传感器和执行器等,实现工业生产过程的自动化和智能化。

4. **LED照明驱动模块**:作为LED照明产品的驱动器件,VBA3316G可以实现LED的亮度调节和频闪控制,提高LED照明系统的效能和可靠性。

综上所述,VBA3316G适用于各种需要半桥电路控制的电子设备和模块中,包括电源开关模块、电动汽车驱动模块、工业控制模块以及LED照明驱动模块等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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