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VBA3316D 产品详细

产品简介:

VBA3316D是一款半桥N+N型场效应管,该产品采用沟道技术,封装为SOP8。

VBA3316D能够提供稳定可靠的功率输出,并具有较低的导通电阻和高效的功率转换特性,适合用于要求高性能和高可靠性的电源控制和驱动模块中。

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产品参数:

参数:
- MOSFET类型:Half-Bridge N+N
- 额定漏极-源极电压(VDS):30V
- 门极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):1.7V
- 静态工作电阻(RDS(on)):
- VGS=4.5V时:12mΩ
- VGS=10V时:8mΩ
- 额定漏极电流(ID):8A
- 技术:Trench
封装:SOP8

领域和模块应用:

应用简介:
该产品适用于半桥驱动电路,常见于以下应用场景中:
1. 电源开关模块:用于直流-直流变换器、开关电源等电源开关模块,以实现高效能耗和稳定的电源输出。
2. 电动车控制模块:用于电动车的驱动系统中,包括电机控制、逆变器等模块,以实现电动车的高性能和高效率。
3. 电源管理模块:用于各种电源管理系统,包括充电器、逆变器等模块,以实现稳定的电源输出和高效的能量转换。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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