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VBA3310 产品详细

产品简介:

VBA3310是一款双路N+N沟道MOSFET,适用于高性能功率控制和开关应用。具有30V的最大漏极-源极电压(VDS)、13.5A的最大漏极电流(ID)和低漏极-源极电阻(RDS(on))。采用沟道技术制造,封装为SOP8,可广泛应用于各种电子设备的功率开关和控制模块。

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产品参数:

参数:
- MOSFET类型: 双路N+N沟道
- 最大漏极-源极电压(VDS): 30V
- 最大栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 1.7V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 12mΩ
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 10mΩ
- 最大漏极电流(ID): 13.5A
- 技术: 沟道技术(Trench)
- 封装: SOP8

领域和模块应用:


举例说明:
1. **电机驱动模块**:VBA3310可用作电机驱动模块的功率开关器件,适用于各种电动工具、家用电器和汽车电子系统中的电机控制。其高漏极电流和低漏极电阻可提供足够的功率输出,满足不同电机的启停和转向需求。

2. **电源逆变器模块**:在太阳能发电系统和电网逆变器中,VBA3310可用作功率逆变模块的关键元件,实现太阳能电能的转换和调节。其稳定的特性和高功率密度使其成为太阳能发电系统和电网逆变器的理想选择。

3. **工业控制模块**:在工业自动化和机器人控制系统中,VBA3310可用于设计高性能的功率控制模块,实现对电机、执行器和传感器的精确控制。其高效的功率开关和稳定的特性可提高工业设备的生产效率和稳定性。

4. **电池管理模块**:在电池管理系统中,VBA3310可用作过充电和过放电保护模块的关键组件,实现对电池的安全充放电控制。其高漏极电流和低漏极电阻可确保电池的安全运行,延长电池的使用寿命。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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