此产品为双 N 型 MOSFET，其主要参数包括：
- 最大漏极-源极电压（VDS）为 20V；
- 最大栅极-源极电压（VGS）为正负 12V；
- 阈值电压（Vth）在 0.5 到 1.5 之间；
- 当栅极-源极电压为 4.5V 时，导通电阻（RDS(on)）为 26mΩ；
- 当栅极-源极电压为 10V 时，导通电阻为 19mΩ；
- 最大漏极电流（ID）为 7.1A；
- 采用槽道（Trench）技术制造；
- 封装为 SOP8。