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VBA3102M 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBA3102M是一款双 N+N 型功率MOSFET,采用Trench技术,适用于各种低功率功率转换和电源管理应用,包括手机充电、LED照明、便携式电子设备和嵌入式系统等多个领域,为各种低功率模块的设计提供了可靠的功率开关解决方案。
尽管其漏极电流相对较低,但其优秀的性能参数和可靠性使其在特定领域中表现出色,能够实现可靠的功率开关和稳定的能量转换。

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产品参数:

**参数:**
- 类型: 双 N+N 型
- 最大漏极-源极电压 (VDS): 100V
- 最大栅极-源极电压 (VGS): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 1.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻 (mΩ): 200
- 最大漏极电流 (ID): 3A
- 技术: Trench
- 封装: SOP8

领域和模块应用:

**适用领域和模块:**
1. **手机充电模块:**
由于VBA3102M具有低功率和小封装特点,因此非常适合用于设计手机充电模块。其高效能转换和稳定性能可确保安全快速地为手机充电,满足日常生活中的充电需求。

2. **LED灯带驱动器:**
在LED照明应用中,VBA3102M可用于设计低功率的LED灯带驱动器。其低阈值电压和Trench技术确保了稳定的电流输出和可靠的LED驱动,适用于家庭和商业照明场景。

3. **便携式电子设备:**
在便携式电子设备中,如手持式游戏机、便携式音频播放器和无线耳机等,VBA3102M可用于设计低功率的电源管理模块。其小封装和低功率损耗使其能够实现长时间的电池续航和稳定的性能输出。

4. **嵌入式系统控制模块:**
在嵌入式系统中,VBA3102M可用于设计低功率的控制模块,如智能家居控制器、工业自动化系统和智能传感器节点等。其高性能和可靠性保证了系统的稳定运行和精确控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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