VBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管（MOSFET），一种多功能、高性能的电子器件，适用于许多不同的应用领域和模块。具有参数：VDS（漏极-源极电压）为-30V，VGS（栅极-源极电压）范围为±20V，阈值电压（Vth）为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为26mΩ，在VGS=10V时为17mΩ，最大漏极电流（ID）为48A。
这些MOSFET采用Trench技术制造，封装形式为TO252。