VBA2101M - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：

VBA2101M是VBsemi品牌的单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。VBA2101M的高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。采用了SOP8封装。

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产品参数：

该器件采用槽沟技术制造，具有以下主要参数：

- 额定漏极-源极电压（VDS）：-100V
- 门-源电压（VGS）范围：±20V
- 阈值电压（Vth）：-2V
- 门-源电压为4.5V时的漏极-源极电阻（RDS(on)）：155mΩ
- 门-源电压为10V时的漏极-源极电阻（RDS(on)）：110mΩ
- 最大漏极电流（ID）：-4.5A

领域和模块应用：

槽沟技术的应用使其在各种应用中具有出色的性能。
例如，在电源管理模块中，VBA2101M可用于DC-DC转换器、稳压器等领域。
其高额定电压和低导通电阻使其特别适用于需要承受高电压和高功率的场合，如通信设备中的功率放大器模块、服务器中的电源供应模块等。
此外，其高阈值电压和低静态功耗也使其成为便携式电子设备中的理想选择，如笔记本电脑、平板电脑等。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

MOSFET

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