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VBA1311 产品详细

产品简介:

VBA1311是一款单N沟道场效应晶体管,设计用于低功率控制和驱动应用。其主要参数包括:
- 额定漏极-源极电压(VDS)为30V,适用于低压驱动电路。
- 最大栅极-源极电压(VGS)为20V,提供了较宽的工作范围。
- 阈值电压(Vth)为1.7V,适合于低压控制电路。
- 在VGS=4.5V时的导通电阻为11mΩ,在VGS=10V时的导通电阻为8mΩ,具有较低的导通电阻,适用于低功率控制。
- 最大漏极电流(ID)为13A,适用于低功率应用。
- 采用Trench技术,具有优良的电气特性和可靠性。

VBA1311适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。

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产品参数:

产品型号:VBA1311
品牌:VBsemi
参数:
- Single N
- VDS(V): 30
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 1.7
- VGS=4.5V时的导通电阻(mΩ): 11
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ): 8
- ID (A): 13
- 技术:Trench
封装:SOP8

领域和模块应用:

应用举例:
1. **信号放大模块**:由于其低功率特性,VBA1311可用于信号放大模块中的驱动电路,适用于音频放大器、传感器信号放大器等场景。

2. **电源管理模块**:作为低功率开关器件,VBA1311可用于电源管理模块中的开关电路,用于低功率设备的电源控制和管理,如移动设备、智能家居等。

3. **电流检测模块**:由于其低导通电阻和低功率特性,VBA1311可用于电流检测模块中,实现对电路中电流的精准检测和控制,适用于电子设备的电流保护和监控。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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