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VBA1310S 产品详细

产品简介:

VBA1310S是一款单极性 N 型沟道MOSFET,采用Trench技术制造,封装为SOP8,可广泛应用于各种电子设备的功率开关和控制模块。

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产品参数:

产品型号: VBA1310S
品牌: VBsemi
参数:
- 类型: 单极性 N 型
- 额定漏极-源极电压 (VDS): 30V
- 额定栅极-源极电压 (VGS): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 1.7V
- VGS=4.5V时的漏极-源极电阻 (mΩ): 13
- VGS=10V时的漏极-源极电阻 (mΩ): 12
- 漏极电流 (ID): 12A
- 技术: Trench
封装: SOP8

领域和模块应用:

这款 VBA1310S 产品适用于以下领域和模块:
1. 低功耗电子设备: 由于其低漏极电流和适中的漏极-源极电阻,可用于设计低功耗电子设备模块,如智能手机、平板电脑和便携式消费电子产品。
2. 信号放大器: 适用于设计信号放大器模块,如音频放大器、射频放大器和传感器接口电路,以增强信号的幅度和稳定性。
3. 控制电路: 可用于设计各种控制电路模块,如开关电源控制器、电机驱动器和LED控制器,以提供可靠的电力控制和调节。
4. LED照明驱动器: 适用于设计LED照明驱动器模块,用于家庭照明、商业照明和汽车照明应用,因其高效率和稳定性而备受欢迎。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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