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VBA1303C 产品详细

产品简介:

VBA1303C是一款单路N沟道MOSFET,具有30V的最大漏极-源极电压(VDS)、18A的最大漏极电流(ID)和低漏极-源极电阻(RDS(on))。其采用沟道技术制造,封装为SOP8封装,适用于多种电子电路模块的设计和应用。

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产品参数:

参数:
- MOSFET类型: 单路N沟道
- 最大漏极-源极电压(VDS): 30V
- 最大栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 1.7V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 6mΩ
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 4mΩ
- 最大漏极电流(ID): 18A
- 技术: 沟道技术
- 封装: SOP8

领域和模块应用:

举例说明:
1. **电源管理模块**:由于VBA1303C具有较低的漏极-源极电阻和较高的漏极电流,适合用于设计电源管理模块,如直流-直流(DC-DC)转换器和开关稳压器。其低漏极-源极电阻可降低导通时的功耗,提高效率。

2. **驱动模块**:VBA1303C的高阈值电压和稳定的漏极-源极电流特性使其适用于电机驱动模块和开关控制模块。在这些应用中,它可以作为功率开关器件,实现对电机或其他负载的精确控制。

3. **LED照明模块**:由于LED照明需要高效的功率驱动器件,VBA1303C的低漏极-源极电阻和高漏极电流使其成为LED照明模块的理想选择。它可以用于LED驱动电路中的开关控制和电流调节,提高LED灯具的亮度和效率。

4. **电池保护模块**:在电池管理系统中,VBA1303C可用作过充电和过放电保护模块的关键组件。其稳定的特性和可靠性能确保了对电池的安全充放电控制,延长了电池的使用寿命。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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