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VBA1302 产品详细

产品简介:

此产品为单 N 型 MOSFET,其主要参数包括:
- 最大漏极-源极电压(VDS)为 30V;
- 最大栅极-源极电压(VGS)为正负 20V;
- 阈值电压(Vth)为 1.7V;
- 当栅极-源极电压为 4.5V 时,导通电阻(RDS(on))为 4mΩ;
- 当栅极-源极电压为 10V 时,导通电阻为 3mΩ;
- 最大漏极电流(ID)为 25A;
- 采用槽道(Trench)技术制造;
- 封装为 SOP8。

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产品参数:

产品型号:VBA1302
品牌:VBsemi
参数:
- Single N
- VDS(V):30
- VGS(±V):20
- Vth(V):1.7
- RDS(on) VGS=4.5V(mΩ):4
- RDS(on) VGS=10V(mΩ):3
- ID (A):25
- Technology:Trench
封装:SOP8

领域和模块应用:

应用简介:
这款 MOSFET 适用于需要高性能开关的电路和模块,特别适用于以下领域和模块:
- 电源管理模块:由于其低导通电阻和适中的漏极电流能力,适用于电源管理模块中的功率开关和电流调节器。
- 电动工具模块:可用于电动工具中的马达控制、电池管理和功率调节等模块。
- LED 驱动模块:在 LED 照明系统中,适用于 LED 驱动器和调光器等关键模块。
- 通信设备模块:适用于通信设备中的功率放大器、射频开关和信号调节器等模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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