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VBA1206 产品详细

产品简介:

该产品是一款单体N沟道MOSFET,适用于20V的最大漏极-源极电压和±12V的最大栅极-源极电压,特别适用于需要高效能和高性能的应用场合。阈值电压为0.5~1.5V,漏极电流可达15A,采用Trench技术制造。封装为SOP8。

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产品参数:

产品型号: VBA1206
品牌: VBsemi
参数:
- 单体N沟道MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS): 20V
- 最大栅极-源极电压(VGS): ±12V
- 阈值电压(Vth): 0.5~1.5V
- 在VGS=2.5V时的导通电阻(RDS(on)): 8 mΩ
- 在VGS=4.5V时的导通电阻(RDS(on)): 6 mΩ
- 最大漏极电流(ID): 15A
- 技术: Trench
封装: SOP8

领域和模块应用:

这款MOSFET适用于许多领域和模块,以下是一些例子:

1. 电源管理模块:由于具有较低的导通电阻和适中的漏极电流,可用于开关电源和DC-DC变换器中,以提高效率并降低功耗。

2. 电机驱动模块:适用于电机控制模块,例如电机驱动器和步进电机控制器,可实现高效的电机驱动和精确的控制。

3. LED驱动模块:可用于LED照明驱动器,以实现稳定的电流输出和调光功能,同时提供较高的效率和可靠性。

4. 电池管理模块:在充电和放电控制电路中,该MOSFET可以用于电池保护和电池管理系统,确保电池的安全充放电并延长电池寿命。

5. 汽车电子模块:适用于汽车电子系统中的各种应用,如发动机控制单元(ECU)、制动系统、照明系统和娱乐系统等,以提高系统的性能和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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