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VBA1203M 产品详细

产品简介:

VBA1203M是一款适用于低功率开关、电源管理、LED驱动、传感器接口和汽车电子等多个领域的单N沟道MOSFET。

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产品参数:

参数:
- 极性:单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压(VDS):200V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):260mΩ
- 最大漏极电流(ID):3A
- 技术:Trench(沟道)
- 封装:SOP8

领域和模块应用:


该产品适用于以下领域和模块:

1. **低功率开关模块**:
- 由于其相对较低的额定漏极-源极电压和漏极电流,VBA1203M适合用于设计和制造低功率开关模块,如小型电源适配器、电子开关和低功耗电路。

2. **电源管理模块**:
- 在需要较低功耗的电源管理应用中,例如便携式设备、消费电子产品和无线传感器网络,VBA1203M可用作电源管理模块的关键元件。其适度的漏极电流和较低的漏极-源极电阻使其成为这些应用的理想选择。

3. **LED驱动器**:
- 对于低功率LED照明系统,例如小型照明灯具、指示灯和背光模块,VBA1203M可用作LED驱动器模块的组成部分。其参数使其能够提供恒流或脉宽调制的驱动信号,从而实现LED的稳定和高效驱动。

4. **传感器接口模块**:
- 在传感器接口电路中,需要使用低功耗的开关器件来实现传感器信号的处理和传输。VBA1203M的特性使其适用于传感器接口模块,可用于工业自动化、智能家居和医疗设备等领域中的传感器接口电路设计。

5. **汽车电子模块**:
- 对于汽车电子系统中的低功耗应用,例如车身控制模块、信息娱乐系统和车载传感器,VBA1203M可用作关键器件。其低漏极电流和较低的漏极-源极电阻使其能够满足汽车电子模块对功耗和可靠性的要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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