MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBA1158N 产品详细

产品简介:

VBA1158N是一款单通道N型MOS场效应管(Single N MOSFET),适用于最高150V的电路。其栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为2.5V,漏极-源极导通电阻在VGS=10V时为80mΩ,漏极电流(ID)额定为5.4A。采用Trench技术,具有稳定的性能和可靠的特性。封装形式为SOP8,适用于小型电路板的设计和布局。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

参数:
- MOSFET类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):150V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):2.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):80
- 漏极电流(ID):5.4A
- 技术:Trench
封装:SOP8

领域和模块应用:

**应用简介及示例:**
1. **电源开关模块:** VBA1158N适用于电源开关模块,如电源开关器件和DC-DC转换器。其参数能够满足电源开关设备对功率转换和控制的要求,SOP8封装形式适合于小型电源模块的设计和布局。

2. **LED驱动器模块:** 在LED照明应用中,VBA1158N可用于LED驱动器模块,实现LED灯具的亮度调节和电能转换。其高阈值电压和稳定的性能能够满足LED驱动器对功率控制和稳定性的要求,SOP8封装形式适合于小型LED驱动器的设计和布局。

3. **汽车电子控制模块:** VBA1158N适用于汽车电子控制模块,如发动机控制单元(ECU)和车载电源管理系统。其稳定的性能和高阈值电压特性能够满足汽车电子设备对功率控制和稳定性的要求,SOP8封装形式有助于紧凑的模块设计和布局。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询