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VBA1154N 产品详细

产品简介:

VBA1154N是一款高性能的单N沟道场效应晶体管,适用于低功耗电子设备、智能家居模块和工业传感器模块等领域,能够为这些领域提供稳定、高效的电源管理和信号放大解决方案。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品类型:Single N沟道场效应晶体管(Single N-MOSFET)
- 最大漏极-源极电压(VDS):150V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):40
- 最大漏极电流(ID):7.7A
- 技术:Trench
- 封装:SOP8

领域和模块应用:


其特点包括较高的漏极-源极电压和适中的漏极电流,以及较高的漏极-源极电阻,使其在以下领域和模块中具有广泛的应用:

1. 低功耗电子设备:VBA1154N适用于低功耗电子设备中的电源管理、信号放大和开关控制等部分。其低漏极电流和适中的电流容量可以满足低功耗设备对高效能耗的需求,同时SOP8封装可以提供紧凑的尺寸和方便的安装方式。

2. 智能家居模块:在智能家居领域,VBA1154N可用于智能开关、灯光控制和电源管理等模块。其稳定的性能和适中的电流容量可以满足智能家居设备对可靠性和安全性的要求,同时SOP8封装可以满足模块对小型化和集成度的需求。

3. 工业传感器模块:在工业传感器领域,VBA1154N可用于传感器信号放大、数据采集和电源管理等模块。其高阈值电压和适中的漏极电流能力可以满足工业传感器对高精度和高稳定性的需求,同时SOP8封装可以提供良好的散热性能和耐用性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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