VBA1102N - VBsemi MOS管制造商

VBA1102N 产品详细

描述
参数
应用
技术支持

产品简介：

- VDS(V): 最大漏极-源极电压为100V，表示器件可以承受的最大工作电压。
- VGS(±V): 栅极-源极电压为正负20V，表示器件的栅极电压范围。
- Vth(V): 阈值电压为1.8V，表示器件的启动电压。
- VGS=4.5V(mΩ): 当栅极-源极电压为4.5V时，漏极-源极间的导通电阻为27mΩ。
- VGS=10V(mΩ): 当栅极-源极电压为10V时，漏极-源极间的导通电阻为20mΩ。
- ID (A): 最大漏极电流为10.4A，表示器件可以承受的最大漏极电流。
- Technology: 采用沟槽技术(Trench)，提供更高的性能和可靠性。
- 封装：SOP8，适合表面贴装电路板上的应用。

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产品参数：

参数：
- Single N
- VDS(V): 100
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 1.8
- VGS=4.5V(mΩ): 27
- VGS=10V(mΩ): 20
- ID (A): 10.4
- Technology: Trench
封装：SOP8

领域和模块应用：

应用简介：
VBA1102N适合用于以下领域和模块：
1. 低功耗电源模块：由于其低阈值电压和较低的漏极电流，适合用于低功耗电源、电池管理和移动设备模块。
2. 电动汽车控制：具有适中的漏极电流和导通电阻，可用于电动汽车的电机控制、电池管理和充电系统模块。
3. 电源转换器：可应用于DC-DC转换器、AC-DC变换器和功率因数校正模块，提供高效的能量转换和稳定的输出。
4. 工业控制：适用于工业自动化、机器人控制和电力电子模块，提供可靠的功率开关和过载保护功能。
5. LED驱动器：可用于LED照明驱动器、照明控制和节能照明系统，提供稳定的电流和亮度控制。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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