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VBA1102M 产品详细

产品简介:

VBA1102M是一款具有低功耗和高性能的单N沟道MOSFET,适用于各种低功率电源和信号处理应用。其特点包括低漏极-源极导通电阻、高阈值电压和稳定的性能,使其在多种领域和模块中得到广泛应用。

VBA1102M适用于低功率电源和信号处理领域,包括小型电源管理、低功耗信号处理和便携式电子设备等,具有广泛的应用前景。

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产品参数:

参数:
- 类型:单N沟道MOSFET
- 额定电压(VDS):100V
- 门极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):1.5V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):240mΩ
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):200mΩ
- 漏极电流(ID):2.5A
- 技术:沟道型MOSFET
- 封装:SOP8

领域和模块应用:

举例说明:
1. 小型电源管理模块:
VBA1102M适用于各种小型电源管理模块,如USB充电器、电池充电管理、手机充电模块等。其小封装和低功耗特性使其能够有效控制小型设备中的功率传输和电流流动。

2. 低功耗信号处理模块:
在低功耗信号处理系统中,VBA1102M可以用于放大器、滤波器和信号调节等模块。其稳定的性能和低功耗特性可以提高信号处理系统的性能和效能,满足对于高品质信号处理的需求。

3. 便携式电子设备模块:
在便携式电子设备中,VBA1102M可以用于电池管理、信号放大和功率调节等模块。其小封装和低功耗特性使其成为手机、平板电脑和智能手表等便携式设备的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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