VB7202M - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：

VB7202M是一款低功耗、高性能的单路 N 沟道场效应管，适用于各种小型电子设备和便携式应用。其特点包括低漏极电流、低阈值电压和高效能耗比，使其在多种场合下都表现出色。

VB7202M适用于需要高性能、低功耗的电子设备和模块，包括便携式电子产品、低功耗模块和智能传感器等领域。

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产品参数：

参数:
- 类型: 单路 N 沟道场效应管 (Single N)
- 额定漏极-源极电压 (VDS): 200V
- 额定栅极-源极电压 (VGS): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 3V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极导通电阻 (mΩ): 200
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻 (mΩ): 160
- 最大漏极电流 (ID): 4A
- 技术: 沟道结构 (Trench)
封装: SOT23-6

领域和模块应用：

应用举例:
1. 便携式电子产品: VB7202M适用于便携式电子产品中的电源管理、电池充放电控制和信号开关，帮助延长电池寿命并提高设备效率。
2. 低功耗模块: 由于其低漏极电流和高效率特性，VB7202M可用于低功耗模块中的功率开关和电压调节器，提供稳定可靠的电源管理。
3. 智能传感器: 在智能传感器中，VB7202M可用于信号处理和传输部分，实现低功耗、高精度的数据采集和处理。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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