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VB562K 产品详细

产品简介:

**产品简介:**

VBsemi VB562K 是一款双N沟道和P沟道MOSFET,采用Trench技术,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种电源和功率控制应用,封装为SOT23-6。

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产品参数:

**详细参数说明:**

- 品牌:VBsemi
- 产品型号:VB562K
- MOSFET类型:双N沟道和P沟道
- 额定电压(VDS):±60V
- 最大门源电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):1.8V(N沟道),-1.7V(P沟道)
- 典型静态漏极电阻(VGS=4.5V):850mΩ(N沟道),2410mΩ(P沟道)
- 典型静态漏极电阻(VGS=10V):700mΩ(N沟道),2060mΩ(P沟道)
- 最大漏极电流(ID):0.8A(N沟道),-0.55A(P沟道)
- 技术:Trench
- 封装:SOT23-6

领域和模块应用:





**适用领域和模块举例:**

1. **低功耗电源模块:** VB562K 的低静态漏极电阻和小封装尺寸使其适用于低功耗电源模块,如便携式电子产品、智能家居设备等。

2. **电池保护系统:** 由于其双N沟道和P沟道结构,VB562K 可用于电池保护系统中的功率控制模块,实现对电池充放电过程的精确控制。

3. **电动玩具:** 在电动玩具中,VB562K 可用于功率控制模块,如电动汽车、遥控飞机等,提供稳定可靠的功率输出。

4. **移动设备充电器:** 由于其小封装尺寸和低功耗特性,VB562K 可用于移动设备充电器中的功率开关模块,实现高效率的充电过程。

5. **LED驱动器:** 在LED照明系统中,VB562K 可用于功率控制模块,如LED驱动器,提供稳定可靠的功率输出,实现LED灯具的高效亮度调节。

以上是 VB562K 产品适用的一些领域和模块示例,其高性能和可靠性使其成为各种功率控制应用的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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