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VB5610N 产品详细

产品简介:

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VBsemi VB5610N是一款Dual N+P型MOSFET,具有双向通道设计,适用于正负电压。其漏极-源极电压(VDS)为±60V,栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.8V(N通道)/-1.7V(P通道)。采用了Trench技术,具有高效的功率转换和稳定的性能。封装为SOT23-6,体积小巧,适合高密度集成和空间受限的场景。该产品适用于各种应用场景,为电路设计提供了灵活的解决方案。

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VB5610N
- 品牌:VBsemi
- MOSFET类型:Dual N+P
- 漏极-源极电压(VDS):±60V
- 栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):1.8V(N通道)/-1.7V(P通道)
- 在VGS=4.5V时的导通电阻(mΩ):8/8(N/P通道)
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):10/10(N/P通道)
- 漏极电流(ID):±4A
- 技术:Trench
- 封装:SOT23-6

领域和模块应用:


应用领域和模块举例:
该产品适用于以下领域和模块:
1. 电源管理:用于开关电源、电池管理系统和逆变器等电源管理系统中的功率开关控制。
2. 电动工具:适用于电动钻、电动锯和电动砂轮等工业和家用电动工具中的功率控制模块。
3. 汽车电子:用于汽车电子系统、发动机控制单元和车载充电器等汽车电子模块。
4. LED照明:用于LED驱动器、照明控制系统和灯具控制模块,实现LED灯的调光和调色。
5. 移动设备:适用于智能手机、平板电脑和便携式电子设备中的电源管理和功率控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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