产品简介：
产品简介：
VB5460 是 VBsemi 公司推出的双 N+P 型功率场效应晶体管（MOSFET），具有双通道结构，采用 Trench 技术，适用于一些低功率应用场合。
文件下载
产品参数：
详细参数说明：
- 品牌：VBsemi
- 型号：VB5460
- 类型：双 N+P 型功率 MOSFET
- 额定电压（VDS）：±40V
- 门源电压范围（VGS）：±20V
- 阈值电压（Vth）：1.8V（N 型）、-1.7V（P 型）
- 门源电压为 4.5V 时的导通电阻（RDS(on)）：35 mΩ（N 型）、80 mΩ（P 型）
- 门源电压为 10V 时的导通电阻（RDS(on)）：30 mΩ（N 型）、70 mΩ（P 型）
- 额定电流（ID）：8A（N 型）、-4A（P 型）
- 技术：Trench
- 封装：SOT23-6
领域和模块应用：
适用领域和模块举例：
1. 电源管理模块：VB5460 的低功率特性使其适用于一些低功率的电源管理模块，如小型稳压器、开关电源等。
2. 手持式设备：该器件封装小巧，适合用于手持式设备中的功率开关模块，如智能手机、平板电脑等的电源管理。
3. LED 灯驱动器：在 LED 照明领域，VB5460 可作为 LED 灯驱动器中的功率开关器件，用于 LED 灯的调光和驱动。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您
立即下载
中文
English
返回上级页面
