该产品是一款双通道 P 型 MOSFET，具有以下特性：
- 耐压：VDS 最大可达 -20V，VGS 最大可达 ±20V，适用于多种应用场景。
- 阈值电压：Vth 为 -0.6V，使得在一定电压下 MOSFET 可以正常工作。
- 导通电阻：当 VGS 为 2.5V 时，导通电阻为 90mΩ；当 VGS 为 4.5V 时，导通电阻为 65mΩ，具有较低的导通电阻特性。
- 最大电流：ID 最大可达 -4A，适用于中小功率电路。
- 技术：采用 Trench 工艺制造，具有高性能和可靠性。
- 封装：SOT23-6，适合在有限空间内进行布局设计。