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VB362K 产品详细

产品简介:

VBsemi的VB362K是一款双通道N沟道MOSFET器件,主要设计用于低压应用场合。其特性包括高漏极-源极电压、宽广的工作电压范围以及低的漏极-源极电阻。由于其性能特点,适用于各种低压电路和模块中。

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产品参数:

参数:
- 架构: Dual N+N
- 最大漏极-源极电压(VDS): 60V
- 栅-源电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 1.7V
- VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(mΩ): 3000
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ): 1800
- 最大漏极电流(ID): 0.35A
- 技术: Trench
封装: SOT23-6

领域和模块应用:

举例说明:
1. **电源管理模块**:
VB362K的高漏极-源极电压和低漏极-源极电阻使其非常适合用于电源管理模块中的电池充放电保护电路、电源开关以及功率转换器等部分。

2. **LED照明控制模块**:
在LED照明控制模块中,VB362K可用于驱动LED驱动电路中的MOSFET开关,帮助实现灯光的调光和调色功能。

3. **电动工具控制模块**:
在电动工具控制模块中,VB362K可用于电机驱动电路中的功率开关,有效控制电机的启停和速度调节。

4. **USB充电器模块**:
作为USB充电器模块中的过流保护部分,VB362K可用于在充电电路中实现充电器的输出电流限制和过载保护。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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