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VB3222A 产品详细

产品简介:

VB3222A是一款双 N+N 沟道场效应管,具有漏极-源极电压(VDS)为20V,门-源电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为0.5~1.5V,以及在不同门-源电压下的漏极-源极电阻(RDS(on))。此外,它的漏极电流(ID)容量为6A,采用沟槽技术制造,封装为SOT23-6。

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产品参数:

**参数:**
- 双 N+N 沟道场效应管
- VDS(V): 20
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 0.5~1.5
- VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(mΩ): 26
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ): 22
- ID (A): 6
- 技术:沟槽
**封装:** SOT23-6

领域和模块应用:

**应用举例:**
1. **电源管理模块:** VB3222A的双 N+N 结构和适中的漏极电流容量使其非常适合用于电源管理模块中。例如,可以将其用于低功耗开关电源、电池充放电管理系统等应用中,以实现高效的能量转换和稳定的电源输出。

2. **LED照明控制器:** 由于VB3222A具有低漏极-源极电阻和双 N+N 结构,因此它也可以作为LED照明控制器中的功率开关器件。例如,可以将其用于LED驱动电路中,以实现高效的LED照明控制和调光功能。

3. **移动设备充电管理:** 该器件的小型封装和适中的漏极电流容量使其非常适合用于移动设备充电管理模块中。例如,可以将其用于智能手机、平板电脑等移动设备的充电管理电路中,以确保安全、高效的充电过程。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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