VBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管（MOSFET），是一种灵活多用、性能稳定的电子元件，适用于各种不同的领域和模块。
具有以下参数：VDS（漏极-源极电压）为-30V，VGS（栅极-源极电压）范围为±20V，阈值电压（Vth）为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ，在VGS=10V时为46mΩ，最大漏极电流（ID）为-5.6A（负数表示为P沟道器件）。
这些MOSFET采用Trench技术制造，封装形式为SOT23-3。