产品简介：
VBsemi VBJ17R04SE 是一款单N沟道场效应晶体管，具有高达700V的漏极-源极电压（VDS）和4A的漏极电流（ID）。采用SJ_Deep-Trench技术制造，具有可靠的性能和稳定性。封装为SOT223，适用于多种应用场合。
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详细参数说明：
- 型号：VBJ17R04SE
- 品牌：VBsemi
- 类型：单N沟道场效应晶体管
- 漏极-源极电压（VDS）：700V
- 栅极-源极电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：1100
- 漏极电流（ID）：4A
- 工艺技术：SJ_Deep-Trench
- 封装：SOT223
适用领域和模块示例：
1. 小型电源模块：由于封装小巧，适用于小型电源模块，如手机充电器、小型电动工具等。
2. 电子消费品：可用于电子消费品中的功率开关模块，如电视、音响等。
3. 电动玩具：适用于电动玩具中的电机驱动模块，提供驱动力和控制。
4. 智能家居设备：用于智能家居设备中的功率开关模块，实现设备的智能控制和管理。
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