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VB162K 产品详细

产品简介:

VB162K是一款单N沟道MOSFET,适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。

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产品参数:

参数:
- 结构:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):60V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):1.7V
- 栅极-源极电阻(VGS=4.5V):3100 mΩ
- 栅极-源极电阻(VGS=10V):2800 mΩ
- 额定漏极电流(ID):0.3A
- 技术:Trench
- 封装:SOT23-3

领域和模块应用:


举例说明:
1. 信号开关模块:由于VB162K具有较低的漏极电流和功耗,适合用作信号开关管,如用于电路中的电源开关、电路控制等。
2. 电池管理模块:在需要对电池进行充放电管理的电路中,VB162K可以作为充放电管,控制电池的充放电过程,保证电池的安全和稳定性。
3. 传感器接口模块:在传感器接口电路中,VB162K可以作为电路的开关元件,用于控制传感器的工作状态,如开启或关闭传感器采集数据。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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