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VB1307N 产品详细

产品简介:

VB1307N是一款单路N沟道MOSFET,适用于低功率功率控制和开关应用。具有30V的最大漏极-源极电压(VDS)、5A的最大漏极电流(ID)和较高的漏极-源极电阻(RDS(on))。采用沟道技术制造,封装为SOT23-3,适用于低功率电子设备的功率开关和控制模块。

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产品参数:

产品型号: VB1307N
品牌: VBsemi
参数:
- MOSFET类型: 单路N沟道
- 最大漏极-源极电压(VDS): 30V
- 最大栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 1.7V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 62mΩ
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 47mΩ
- 最大漏极电流(ID): 5A
- 技术: 沟道技术(Trench)
- 封装: SOT23-3

领域和模块应用:

举例说明:
1. **移动设备模块**:VB1307N可用于设计低功率的移动设备模块,如智能手机、平板电脑和便携式音频设备等。其小巧的封装和低功率特性使其成为移动设备中的理想功率开关,实现设备的高效能耗管理。

2. **电源管理模块**:在低功率电源管理系统中,VB1307N可用作电源开关和稳压器模块的关键组件,实现对电源的高效控制和调节。其较高的漏极-源极电阻和稳定的特性可提供可靠的功率输出,满足各种电子设备的电源需求。

3. **传感器接口模块**:在传感器接口电路中,VB1307N可用于设计低功率的信号调节和放大模块,实现传感器信号的准确采集和处理。其低功率特性和稳定的特性可提高传感器系统的性能和可靠性。

4. **LED驱动模块**:在低功率LED照明系统中,VB1307N可用于设计LED驱动模块,实现LED灯具的亮度调节和颜色控制。其低功率特性和小封装使其成为LED照明系统中的理想选择,提高LED灯具的性能和寿命。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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