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VB125N5K 产品详细

产品简介:

VB125N5K是一款单N沟道场效应晶体管,具有250V的额定漏极-源极电压和0.3A的漏极电流。其特性使其适用于低功率的开关和控制应用。

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产品参数:

**参数说明:**
- 产品型号: VB125N5K
- 品牌: VBsemi
- 类型: 单N沟道场效应晶体管 (Single N)
- 额定漏极-源极电压(VDS): 250V
- 栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3V
- 栅-源电压为10V时的漏极-源极电阻: 1500mΩ
- 漏极电流(ID): 0.3A
- 技术:沟道型 (Trench)
- 封装:SOT23-3

领域和模块应用:

**示例应用场景及模块:**

1. **电源管理模块:**
在电源管理模块中,VB125N5K可用作低功率开关电路的开关器件,用于控制电源的输出和电流调节。例如,在移动设备充电器中,它可以控制充电器的输出电压和电流。

2. **传感器模块:**
在传感器模块中,VB125N5K可用作传感器电路的开关器件,用于控制传感器的启停和信号处理。例如,在智能家居系统中,它可以控制各种环境传感器的工作状态。

3. **LED驱动模块:**
在LED驱动模块中,VB125N5K可用作低功率LED灯的驱动器。它可以控制LED的亮度和开关状态,用于各种照明应用中的小功率LED灯。

4. **医疗设备模块:**
在医疗设备模块中,VB125N5K可用于低功率医疗设备的控制和驱动。例如,在便携式医疗仪器中,它可以用于控制设备的开关和电源管理。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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