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VB1240B 产品详细

产品简介:

VB1240B是一款单N型MOSFET,主要特点包括20V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS),0.5~1.5V的阈值电压(Vth),25mΩ(VGS=2.5V)和20mΩ(VGS=4.5V)的导通电阻(RDS(on)),以及6A的漏极电流(ID)。采用Trench工艺制造,封装为SOT23-3。

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产品参数:

产品型号:VB1240B
品牌:VBsemi
参数:
- 单N型
- VDS(V):20
- VGS(±V):20
- Vth(V):0.5~1.5
- RDS(on) VGS=2.5V(mΩ):25
- RDS(on) VGS=4.5V(mΩ):20
- ID (A):6
- Technology:Trench
封装:SOT23-3

领域和模块应用:

由于其低阈值电压、低导通电阻和较高的漏极电流,VB1240B适用于多种领域的电路设计和模块应用。例如,
在低功耗电子设备中,可用于电源管理模块中的功率开关;在LED照明驱动器中,可作为LED驱动电路中的开关管;在电动车辆电路中,可用于电池管理系统中的充放电控制模块;在工业自动化中,可用于电机控制和电源开关模块等领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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