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VB1101M 产品详细

产品简介:

VB1101M是一款小型单N沟道MOSFET,适用于低功率电源和信号处理应用,包括电子产品驱动、便携式电子设备和消费类电子产品等,具有广泛的应用前景。封装紧凑,性能稳定,可满足小型设备和电路的功率控制需求。

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产品参数:

参数:
- 类型:单N沟道MOSFET
- 额定电压(VDS):100V
- 门极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):1.8V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):141mΩ
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):100mΩ
- 漏极电流(ID):4.3A
- 技术:沟道型MOSFET
- 封装:SOT23-3

领域和模块应用:

举例说明:
1. 电子产品驱动模块:
VB1101M适用于各种电子产品的驱动模块,如电池充电管理、LED驱动、电机控制等。其小封装和低功耗特性使其能够有效控制小型设备中的功率传输和电流流动。

2. 便携式电子设备模块:
在便携式电子设备中,VB1101M可以用于电池管理、信号放大和功率调节等模块。其小封装和低功耗特性使其成为手机、平板电脑和智能手表等便携式设备的理想选择。

3. 消费类电子产品模块:
在消费类电子产品中,VB1101M可以用于音频放大器、电源管理和信号处理等模块。其稳定的性能和低功耗特性可以提高产品的性能和可靠性,满足消费者对于品质和体验的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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