**UT6302L-AE3-R-VB 详细参数说明：**

- **品牌：** VBsemi
- **丝印：** VB2290
- **封装：** SOT23
- **沟道类型：** P—Channel
- **最大电压：** -20V
- **最大电流：** -4A
- **导通电阻：** RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V
- **阈值电压：** Vth=-0.81V

**应用简介：**
UT6302L-AE3-R-VB是一款P—Channel沟道MOSFET，具有适中的电压和电流能力，适用于多种应用场景。以下是该产品的主要应用领域和对应的模块：

1. **电源开关模块：** 由于UT6302L-AE3-R-VB具有P—Channel沟道特性，适用于电源开关模块。它可以在电源系统中提供高效的开关功能。

2. **便携式设备：** 该产品适用于便携式设备，如智能手机、平板电脑等。其SOT23封装使其非常适合在有限空间内实现电源控制。

3. **电池管理系统：** 在需要对电池进行开关和控制的电池管理系统中，UT6302L-AE3-R-VB可以发挥其优势，提高电池使用效率。

4. **LED照明驱动：** 适用于LED照明驱动模块，可用于LED灯的开关和控制，实现灯光的亮度调节。

5. **电源适配器：** 在电源适配器中，UT6302L-AE3-R-VB可以用于电源开关和控制，有助于实现高效的电源转换和适配。

总体而言，UT6302L-AE3-R-VB是一款适用于多种电源管理应用的P—Channel沟道MOSFET，特别适合于有限空间和对电源效率要求高的领域。