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UT4101L-AE3-R-VB一款SOT23封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
UT4101L-AE3-R-VB 是 VBsemi 公司生产的 P-Channel 沟道场效应晶体管,采用 SOT23 封装。以下是详细参数说明和应用简介:

- **参数说明:**
- 封装类型:SOT23
- 沟道类型:P-Channel
- 额定电压(VDS):-20V
- 额定电流(ID):-4A
- 开关电阻(RDS(ON)):57mΩ(在VGS=4.5V,VGS=12V时)
- 阈值电压(Vth):-0.81V

- **适用领域和模块举例:**
- **领域:** 电子设备、电源管理、模拟电路等。
- **模块应用举例:**
1. **电源开关模块:** 适用于设计负载开关电源的模块,可有效控制电流。
2. **信号放大器:** 在模拟电路中,可用于 P-Channel 放大器模块,用于信号放大和处理。
3. **电源逆变器:** 可用于电源逆变器模块,特别是需要负载控制的应用场景。

UT4101L-AE3-R-VB 的特性使其在对电流控制和功耗优化有要求的领域中表现出色,适用于多种电路设计,特别是需要 P-Channel 沟道场效应晶体管的应用。

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