UT4101G-AE3-R-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管，采用SOT23封装。参数包括工作电压-20V，电流-4A，导通电阻RDS(ON)=57mΩ（在VGS=4.5V和VGS=12V时），阈值电压Vth=-0.81V。适用于SOT23封装。

**详细参数说明：**
- 工作电压：-20V
- 电流：-4A
- 导通电阻：57mΩ（在VGS=4.5V和VGS=12V时）
- 阈值电压：-0.81V
- 封装：SOT23

**应用简介：**
UT4101G-AE3-R-VB适用于低压、高效率的电源管理和开关电路中。其性能参数使其在多种电子设备中发挥优异作用，特别是在要求小型化和低功耗的领域。

**示例应用领域：**
1. **便携设备电源开关：** 由于UT4101G-AE3-R-VB的低导通电阻和高效率，可用于便携设备中的电源开关电路，提高系统性能。

2. **电池管理模块：** 在便携式电子设备的电池管理模块中，可确保高效充放电，延长电池寿命。

3. **LED驱动器：** 适用于LED照明系统中的驱动器模块，以提供高效且可靠的电源。

总体而言，UT4101G-AE3-R-VB的特性使其在多种低功耗和小型化电子设备的电源管理和控制领域中具有广泛的应用前景。