参数说明：
- 产品型号: UT3P01ZG-AE2-R-VB
- 丝印: VB264K
- 品牌: VBsemi
- 封装: SOT23
- 类型: P—Channel沟道
- 额定电压: -60V
- 额定电流: -0.5A
- 静态电阻: RDS(ON) = 3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = -1.87V

应用简介：
UT3P01ZG-AE2-R-VB适用于SOT23封装的P—Channel沟道场效应晶体管。其低静态电阻和适应性使其在多个应用领域中发挥作用。

适用领域举例：
1. **电源模块**：由于其低阻态电阻和适中的电压和电流特性，可用于电源开关模块。
2. **信号放大器**：在一些低功耗信号放大器电路中，UT3P01ZG-AE2-R-VB可以发挥作用。
3. **电流控制模块**：适合用于需要对电流进行精确控制的电路和模块。

这款产品的特性使其在多个电子设备的设计中都能找到应用，提高系统性能和效率。